Публікація:
Degradations of semicondactor devices under pulsed heat overloading

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

2000

Автори

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тома

Видавництво

Дослідницькі проекти

Організаційні підрозділи

Видання журналу

Анотація

The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal depende ncies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained

Опис

References: 1. Wunsch D.S., Bell R.R. IEEE Trans. on Nuclear. Sci. 1968.NS.15, No.6. P.244-259. 2. Dwyer V.M., Franklin A.J., Campbell D.S. IEEE Trans. on Electron Dev. 1990, ED.37 N î .11, pp.2381-2387. 3. Simulation of radioelectronic devices thermal failures / V.I. Chumakov // Radioelektronika i informatika ,1992, N 2, p.31-37. 4. Virchenko Yu.P., Vodyanitskii À.A., Kovtun G.P. Preprint, Kharkov: KhIFT, 1992, 32 p. (in Russian). 5. Galaktionov V.À., Kurdyumov S.P., Posashkov S.À Samarskii A..À. In : Mathematic modeling. Processes in nonlinear medium. Moskow: Nauka, 1986, p.142-182 (in Russian). 6. Blakemore J. Solid state physics. Moskov: Mir. 1988. (in Russian). 7. Carroll J. Microwave generator on hot electrons. Moskow: Mir, 1972.

Ключові слова

DEGRADATIONS, SEMICONDUCTOR DEVICES, PULSED HEAT OVERLOADING

Бібліографічний опис

DOI