Публікація:
Degradations of semicondactor devices under pulsed heat overloading

Проста сторінка документа
dc.contributor.authorChumakov, V. I.
dc.date.accessioned2018-01-25T14:22:12Z
dc.date.available2018-01-25T14:22:12Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractThe linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal depende ncies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.uk_UA
dc.identifier.citationChumakov V. I. Degradations of semicondactor devices under pulsed heat overloading / V. I. Chumakov // Problems of Atomic Science and Technology. - 2000. - N 3. - P. 96-98. - Series: Plasma Physics (5)
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/4229
dc.subjectdegradations
dc.subjectsemicondactor devices
dc.subjectpulsed heat overloading
dc.titleDegradations of semicondactor devices under pulsed heat overloadinguk_UA
dc.title.alternativeDegradations of semicondactor devices under pulsed heat overloadinguk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
article_2000_3_96.pdf
Розмір:
153.34 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Пакунок ліцензії

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Кафедра проектування та експлуатації електронних апаратів (ПЕЕА)