Публікація: Degradations of semicondactor devices under pulsed heat overloading
Завантаження...
Дата
2000
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
Анотація
The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal depende ncies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.
Опис
Ключові слова
degradations, semicondactor devices , pulsed heat overloading
Бібліографічний опис
Chumakov V. I. Degradations of semicondactor devices under pulsed heat overloading / V. I. Chumakov // Problems of Atomic Science and Technology. - 2000. - N 3. - P. 96-98. - Series: Plasma Physics (5)