Публікація: Degradations of semicondactor devices under pulsed heat overloading
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
Анотація
The linear heat model of degradations of semiconductor devices under pulsed electric overloading has been constructed. Expressions for temporal depende ncies of the temperature under different forms of pulse of current are obtained.
Опис
Ключові слова
Цитування
Chumakov V. I. Degradations of semicondactor devices under pulsed heat overloading / V. I. Chumakov // Problems of Atomic Science and Technology. - 2000. - N 3. - P. 96-98. - Series: Plasma Physics (5)