Публікація: Дослідження впливу товщини SiO2 на зарядові ефекти на межі діелектрик-напівпровідник
Завантаження...
Дата
2025
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЕ
Анотація
The modern development of nanoelectronics requires the creation of new transistor architectures that provide higher performance, lower energy consumption, and stable operation when scaled down to the nanoscale. One of the promising directions is the use of nanowire transistors, which, due to their three dimensional structure, allow for more effective control of the conduction channel and reduce short-channel effects. An important component of such transistors is the metal-insulator-semiconductor structure, where the dielectric layer plays a key role in shaping the electric field and controlling the charge state of the channel.
Опис
Ключові слова
діелектрик-напівпровідник, зарядовий ефект на межі діелектрик-напівпровідник
Бібліографічний опис
Чекубашева В. А. Дослідження впливу товщини SiO2 на зарядові ефекти на межі діелектрик-напівпровідник / В. А. Чекубашева, О. В. Глухов // Радіоелектроніка та молодь у XXI столітті : матеріали 29-го Міжнар. молодіж. форуму, 16–19 квітня 2025 р. – Харків : ХНУРЕ, 2025. – Т. 1. – С. 53–55.