Дослідження впливу товщини SiO2 на зарядові ефекти на межі діелектрик-напівпровідник

Чекубашева, В. А.; Глухов, О. В.

Публікація:
Дослідження впливу товщини SiO2 на зарядові ефекти на межі діелектрик-напівпровідник

dc.contributor.author	Чекубашева, В. А.
dc.contributor.author	Глухов, О. В.
dc.date.accessioned	2025-04-19T07:01:10Z
dc.date.available	2025-04-19T07:01:10Z
dc.date.issued	2025
dc.description.abstract	The modern development of nanoelectronics requires the creation of new transistor architectures that provide higher performance, lower energy consumption, and stable operation when scaled down to the nanoscale. One of the promising directions is the use of nanowire transistors, which, due to their three dimensional structure, allow for more effective control of the conduction channel and reduce short-channel effects. An important component of such transistors is the metal-insulator-semiconductor structure, where the dielectric layer plays a key role in shaping the electric field and controlling the charge state of the channel.
dc.identifier.citation	Чекубашева В. А. Дослідження впливу товщини SiO2 на зарядові ефекти на межі діелектрик-напівпровідник / В. А. Чекубашева, О. В. Глухов // Радіоелектроніка та молодь у XXI столітті : матеріали 29-го Міжнар. молодіж. форуму, 16–19 квітня 2025 р. – Харків : ХНУРЕ, 2025. – Т. 1. – С. 53–55.
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/30378
dc.language.iso	uk
dc.publisher	ХНУРЕ
dc.subject	діелектрик-напівпровідник
dc.subject	зарядовий ефект на межі діелектрик-напівпровідник
dc.title	Дослідження впливу товщини SiO2 на зарядові ефекти на межі діелектрик-напівпровідник
dc.type	Thesis
dspace.entity.type	Publication