Публікація:
Негативна фотопровідність у напівпровідникових гетероструктурах

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тому

Видавець

ХНУРЕ

Дослідницькі проекти

Організаційні одиниці

Випуск журналу

Анотація

This work examines negative photoconductivity in heterogeneous semiconductor structures formed by a crystalline matrix with cylindrical amorphous inclusions. Unlike conventional photoconductivity, the effect appears as a decrease in conductivity under illumination. It is attributed to trapping of photogenerated carriers at surface and interfacial states, which induces carrier depletion near the interface. The model predicts progressive recovery of photoconductivity with increasing distance from the interface. These results are relevant for understanding charge transport and designing advanced optoelectronic devices and sensor applications.

Опис

Ключові слова

негативна фотопровідність, фотогенерація носіїв заряду, напівпровідникові гетероструктури

Цитування

Грабіщенко Я. О, Бабиченко O. Ю. Негативна фотопровідність у напівпровідникових гетероструктурах // Радіоелектроніка та молодь у XXI столітті : матеріали 30-го Міжнар. молодіж. форуму, 22–24 квітня 2026 р. Харків, 2026. Т. 3. С. 448-450.

DOI

Схвалення

Рецензія

Доповнено

На які посилаються