Публікація: Негативна фотопровідність у напівпровідникових гетероструктурах
| dc.contributor.author | Грабіщенко, Я. О. | |
| dc.contributor.author | Бабиченко, O. Ю. | |
| dc.date.accessioned | 2026-07-01T19:08:16Z | |
| dc.date.issued | 2026 | |
| dc.description.abstract | This work examines negative photoconductivity in heterogeneous semiconductor structures formed by a crystalline matrix with cylindrical amorphous inclusions. Unlike conventional photoconductivity, the effect appears as a decrease in conductivity under illumination. It is attributed to trapping of photogenerated carriers at surface and interfacial states, which induces carrier depletion near the interface. The model predicts progressive recovery of photoconductivity with increasing distance from the interface. These results are relevant for understanding charge transport and designing advanced optoelectronic devices and sensor applications. | |
| dc.identifier.citation | Грабіщенко Я. О, Бабиченко O. Ю. Негативна фотопровідність у напівпровідникових гетероструктурах // Радіоелектроніка та молодь у XXI столітті : матеріали 30-го Міжнар. молодіж. форуму, 22–24 квітня 2026 р. Харків, 2026. Т. 3. С. 448-450. | |
| dc.identifier.uri | https://openarchive.nure.ua/handle/document/35232 | |
| dc.language.iso | uk | |
| dc.publisher | ХНУРЕ | |
| dc.subject | негативна фотопровідність | |
| dc.subject | фотогенерація носіїв заряду | |
| dc.subject | напівпровідникові гетероструктури | |
| dc.title | Негативна фотопровідність у напівпровідникових гетероструктурах | |
| dc.type | Conference proceedings | |
| dspace.entity.type | Publication |
Файли
Оригінальний пакунок
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- MRF_2026_T3_IRTM_448-450.pdf
- Розмір:
- 294.48 KB
- Формат:
- Adobe Portable Document Format
Пакунок ліцензії
1 - 1 з 1
Завантаження...
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 10.74 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: