Публікація:
Негативна фотопровідність у напівпровідникових гетероструктурах

dc.contributor.authorГрабіщенко, Я. О.
dc.contributor.authorБабиченко, O. Ю.
dc.date.accessioned2026-07-01T19:08:16Z
dc.date.issued2026
dc.description.abstractThis work examines negative photoconductivity in heterogeneous semiconductor structures formed by a crystalline matrix with cylindrical amorphous inclusions. Unlike conventional photoconductivity, the effect appears as a decrease in conductivity under illumination. It is attributed to trapping of photogenerated carriers at surface and interfacial states, which induces carrier depletion near the interface. The model predicts progressive recovery of photoconductivity with increasing distance from the interface. These results are relevant for understanding charge transport and designing advanced optoelectronic devices and sensor applications.
dc.identifier.citationГрабіщенко Я. О, Бабиченко O. Ю. Негативна фотопровідність у напівпровідникових гетероструктурах // Радіоелектроніка та молодь у XXI столітті : матеріали 30-го Міжнар. молодіж. форуму, 22–24 квітня 2026 р. Харків, 2026. Т. 3. С. 448-450.
dc.identifier.urihttps://openarchive.nure.ua/handle/document/35232
dc.language.isouk
dc.publisherХНУРЕ
dc.subjectнегативна фотопровідність
dc.subjectфотогенерація носіїв заряду
dc.subjectнапівпровідникові гетероструктури
dc.titleНегативна фотопровідність у напівпровідникових гетероструктурах
dc.typeConference proceedings
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Зараз показано 1 - 1 з 1
Завантаження...
Зображення мініатюри
Назва:
MRF_2026_T3_IRTM_448-450.pdf
Розмір:
294.48 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format

Пакунок ліцензії

Зараз показано 1 - 1 з 1
Завантаження...
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
10.74 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: