Публікація: Негативна фотопровідність у напівпровідникових гетероструктурах
Завантаження...
Дата
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЕ
Анотація
This work examines negative photoconductivity in heterogeneous semiconductor structures formed by a crystalline matrix with cylindrical amorphous inclusions. Unlike conventional photoconductivity, the effect appears as a decrease in conductivity under illumination. It is attributed to trapping of photogenerated carriers at surface and interfacial states, which induces carrier depletion near the interface. The model predicts progressive recovery of photoconductivity with increasing distance from the interface. These results are relevant for understanding charge transport and designing advanced optoelectronic devices and sensor applications.
Опис
Ключові слова
негативна фотопровідність, фотогенерація носіїв заряду, напівпровідникові гетероструктури
Цитування
Грабіщенко Я. О, Бабиченко O. Ю. Негативна фотопровідність у напівпровідникових гетероструктурах // Радіоелектроніка та молодь у XXI столітті : матеріали 30-го Міжнар. молодіж. форуму, 22–24 квітня 2026 р. Харків, 2026. Т. 3. С. 448-450.