Публікація: Laterally gated quantum dots: theory, fabrication, and applications
Завантаження...
Дата
2025
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЕ
Анотація
Laterally gated quantum dots (LGQDs) have emerged as a crucial platform in quantum electronics, particularly in quantum computation and spintronics. These nanostructures confine charge carriers in two-dimensional electron gases (2DEGs) using electrostatic gates, allowing precise control over quantum states. This article explores the theoretical framework governing LGQDs, fabrication techniques, and their potential applications in quantum computing, charge sensing, and nanoelectronic devices.
Опис
Ключові слова
quantum dots, LGQDs
Бібліографічний опис
Chubukin O. S. Laterally gated quantum dots: theory, fabrication, and applications / O. S. Chubukin, М. S. Dotsenko // Радіоелектроніка та молодь у XXI столітті : матеріали 29-го Міжнар. молодіж. форуму, 16–19 квітня 2025 р. – Харків : ХНУРЕ, 2025. – Т. 2. – С. 107–109.