Публікація: Вплив буферних шарів на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду
Завантаження...
Дата
2020
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
Анотація
Мета роботи – визначити як конструктивні параметри буферних шарів активної області впливають на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду. Метод дослідження – квантово-механічне моделювання процесу тунелювання носіїв електричного струму крізь активну область резонансно-тунельного діоду, за допомогою розв′язання стаціонарного рівняння Шредінгера. В результаті розгляду процесу тунелювання крізь резонансно-тунельну структуру визначено вплив товщини буферних шарів на співвідношення струму і напруги піка і струму і напруги долини N-подібної ділянки вольт-амперної характеристики резонансно-тунельного діоду.
Опис
Ключові слова
валентна зона, діод, зона провідності, квантова яма, напруга зміщення, резонансне тунелювання, хвильова функція
Бібліографічний опис
Гаврішев В. Р. Вплив буферних шарів на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду : пояснювальна записка до атестаційної роботи здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 Мікро- та наносистемна техніка / В. Р. Гаврішев ; М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. – Харків, 2020. – 47 с.