Вплив буферних шарів на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду

Гаврішев, В. Р.

Публікація:
Вплив буферних шарів на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду

dc.contributor.author	Гаврішев, В. Р.
dc.date.accessioned	2023-08-20T11:55:02Z
dc.date.available	2023-08-20T11:55:02Z
dc.date.issued	2020
dc.description.abstract	Мета роботи – визначити як конструктивні параметри буферних шарів активної області впливають на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду. Метод дослідження – квантово-механічне моделювання процесу тунелювання носіїв електричного струму крізь активну область резонансно-тунельного діоду, за допомогою розв′язання стаціонарного рівняння Шредінгера. В результаті розгляду процесу тунелювання крізь резонансно-тунельну структуру визначено вплив товщини буферних шарів на співвідношення струму і напруги піка і струму і напруги долини N-подібної ділянки вольт-амперної характеристики резонансно-тунельного діоду.
dc.identifier.citation	Гаврішев В. Р. Вплив буферних шарів на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду : пояснювальна записка до атестаційної роботи здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 Мікро- та наносистемна техніка / В. Р. Гаврішев ; М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. – Харків, 2020. – 47 с.
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/23948
dc.language.iso	uk
dc.subject	валентна зона
dc.subject	діод
dc.subject	зона провідності
dc.subject	квантова яма
dc.subject	напруга зміщення
dc.subject	резонансне тунелювання
dc.subject	хвильова функція
dc.title	Вплив буферних шарів на вольт-амперну характеристику резонансно-тунельного діоду
dc.type	Other
dspace.entity.type	Publication