Публікація: Використання тунельного контакту в польовому транзисторі на основі графену
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЕ
Анотація
In a tunnelling transistor, unlike a conventional field-effect transistor the channel is controlled by the quantum tunnelling effect rather than by charge injection. The purpose of this article is to consider the design and features of a graphene-based tunnelling field-effect transistor.
Опис
Ключові слова
икористання тунельного контакту, транзистор на основі графену
Цитування
Ануфрієв В. В. Використання тунельного контакту в польовому транзисторі на основі графену / В. В. Ануфрієв, науковий керівник – доц. Глухов О. В. // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : матеріали 25-го Міжнар. молодіжн. форуму, 20-22 квітня 2021 р. – Харків : ХНУРЕ, 2021. – Т. 1. – С. 73–74.