Публікація:
Використання тунельного контакту в польовому транзисторі на основі графену

Проста сторінка документа
dc.contributor.authorАнуфрієв, В. В.
dc.date.accessioned2021-11-29T16:47:24Z
dc.date.available2021-11-29T16:47:24Z
dc.date.issued2021
dc.description.abstractIn a tunnelling transistor, unlike a conventional field-effect transistor the channel is controlled by the quantum tunnelling effect rather than by charge injection. The purpose of this article is to consider the design and features of a graphene-based tunnelling field-effect transistor.uk_UA
dc.identifier.citationАнуфрієв В. В. Використання тунельного контакту в польовому транзисторі на основі графену / В. В. Ануфрієв, науковий керівник – доц. Глухов О. В. // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : матеріали 25-го Міжнар. молодіжн. форуму, 20-22 квітня 2021 р. – Харків : ХНУРЕ, 2021. – Т. 1. – С. 73–74.uk_UA
dc.identifier.urihttps://openarchive.nure.ua/handle/document/18515
dc.language.isoukuk_UA
dc.publisherХНУРЕuk_UA
dc.subjectикористання тунельного контактуuk_UA
dc.subjectтранзистор на основі графенуuk_UA
dc.titleВикористання тунельного контакту в польовому транзисторі на основі графенуuk_UA
dc.typeConference proceedingsuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
RiM_2021_MEEPP_73-74.pdf
Розмір:
158.56 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Пакунок ліцензії

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Кафедра мікроелектроніки, електронних приладів та пристроїв (МЕЕПП)