Використання тунельного контакту в польовому транзисторі на основі графену

Публікація:
Використання тунельного контакту в польовому транзисторі на основі графену

dc.contributor.author	Ануфрієв, В. В.
dc.date.accessioned	2021-11-29T16:47:24Z
dc.date.available	2021-11-29T16:47:24Z
dc.date.issued	2021
dc.description.abstract	In a tunnelling transistor, unlike a conventional field-effect transistor the channel is controlled by the quantum tunnelling effect rather than by charge injection. The purpose of this article is to consider the design and features of a graphene-based tunnelling field-effect transistor.	uk_UA
dc.identifier.citation	Ануфрієв В. В. Використання тунельного контакту в польовому транзисторі на основі графену / В. В. Ануфрієв, науковий керівник – доц. Глухов О. В. // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : матеріали 25-го Міжнар. молодіжн. форуму, 20-22 квітня 2021 р. – Харків : ХНУРЕ, 2021. – Т. 1. – С. 73–74.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/18515
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЕ	uk_UA
dc.subject	икористання тунельного контакту	uk_UA
dc.subject	транзистор на основі графену	uk_UA
dc.title	Використання тунельного контакту в польовому транзисторі на основі графену	uk_UA
dc.type	Conference proceedings	uk_UA
dspace.entity.type	Publication