Інжекційний напівпровідниковий лазер з надграткою першого типу

Кут, О. В.

Публікація:
Інжекційний напівпровідниковий лазер з надграткою першого типу

dc.contributor.author	Кут, О. В.
dc.date.accessioned	2020-05-12T16:21:10Z
dc.date.available	2020-05-12T16:21:10Z
dc.date.issued	2019
dc.description.abstract	Об’єкт дослідження – активний шар лазерного діоду – інжекційного напівпровідникового лазеру на основі квантової розмірної структури першого типу у вигляді двошарової надгратки на основі гетероструктури GaAs/AlXiGa1- XiAs. Мета роботи – дослідження частотного зсуву випромінювання ІНЛ на КРС під впливом зовнішнього електричногого поля. Метод дослідження – моделювання енергетичних станів частинок в активній області лазера на основі математичного апарату квантової механіки. У данній дипломній роботі проведено дослідження формування енергетичних станів частинок і квазічастинок у двошаровій квантовій розмірній структурі та їх модифікацію у зовнішньому електричному полі.	uk_UA
dc.identifier.citation	Кут О. В. Інжекційний напівпровідниковий лазер з надграткою першого типу : атестаційна робота здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 Мікро- та наносистемна техніка / О. В. Кут; М-во освіти і науки України, ХНУРЕ. – Харків, 2019. - 73 с.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/11693
dc.language.iso	uk	uk_UA
dc.subject	лазерний діод	uk_UA
dc.subject	квантова розмірна структура	uk_UA
dc.subject	оптичне випромінювання	uk_UA
dc.subject	оптичне підсилення	uk_UA
dc.subject	надгратка	uk_UA
dc.subject	молярна частка	uk_UA
dc.subject	електрон	uk_UA
dc.subject	зовнішнє поле	uk_UA
dc.subject	гетероперехід	uk_UA
dc.title	Інжекційний напівпровідниковий лазер з надграткою першого типу	uk_UA
dc.type	Other	uk_UA
dspace.entity.type	Publication