Публікація:
Інжекційний напівпровідниковий лазер з надграткою першого типу

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

2019

Автори

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тома

Видавництво

Дослідницькі проекти

Організаційні підрозділи

Видання журналу

Анотація

Об’єкт дослідження – активний шар лазерного діоду – інжекційного напівпровідникового лазеру на основі квантової розмірної структури першого типу у вигляді двошарової надгратки на основі гетероструктури GaAs/AlXiGa1- XiAs. Мета роботи – дослідження частотного зсуву випромінювання ІНЛ на КРС під впливом зовнішнього електричногого поля. Метод дослідження – моделювання енергетичних станів частинок в активній області лазера на основі математичного апарату квантової механіки. У данній дипломній роботі проведено дослідження формування енергетичних станів частинок і квазічастинок у двошаровій квантовій розмірній структурі та їх модифікацію у зовнішньому електричному полі.

Опис

Ключові слова

лазерний діод, квантова розмірна структура, оптичне випромінювання, оптичне підсилення, надгратка, молярна частка, електрон, зовнішнє поле, гетероперехід

Бібліографічний опис

Кут О. В. Інжекційний напівпровідниковий лазер з надграткою першого типу : атестаційна робота здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 Мікро- та наносистемна техніка / О. В. Кут; М-во освіти і науки України, ХНУРЕ. – Харків, 2019. - 73 с.

DOI