Публікація: Інжекційний напівпровідниковий лазер з надграткою першого типу
Завантаження...
Дата
2019
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
Анотація
Об’єкт дослідження – активний шар лазерного діоду – інжекційного
напівпровідникового лазеру на основі квантової розмірної структури першого
типу у вигляді двошарової надгратки на основі гетероструктури GaAs/AlXiGa1-
XiAs.
Мета роботи – дослідження частотного зсуву випромінювання ІНЛ на
КРС під впливом зовнішнього електричногого поля.
Метод дослідження – моделювання енергетичних станів частинок в
активній області лазера на основі математичного апарату квантової механіки.
У данній дипломній роботі проведено дослідження формування
енергетичних станів частинок і квазічастинок у двошаровій квантовій розмірній
структурі та їх модифікацію у зовнішньому електричному полі.
Опис
Ключові слова
лазерний діод, квантова розмірна структура, оптичне випромінювання, оптичне підсилення, надгратка, молярна частка, електрон, зовнішнє поле, гетероперехід
Бібліографічний опис
Кут О. В. Інжекційний напівпровідниковий лазер з надграткою першого типу : атестаційна робота здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 Мікро- та наносистемна техніка / О. В. Кут; М-во освіти і науки України, ХНУРЕ. – Харків, 2019. - 73 с.