Інжекційний напівпровідниковий лазер з надграткою першого типу

Abstract

Об’єкт дослідження – активний шар лазерного діоду – інжекційного напівпровідникового лазеру на основі квантової розмірної структури першого типу у вигляді двошарової надгратки на основі гетероструктури GaAs/AlXiGa1- XiAs. Мета роботи – дослідження частотного зсуву випромінювання ІНЛ на КРС під впливом зовнішнього електричногого поля. Метод дослідження – моделювання енергетичних станів частинок в активній області лазера на основі математичного апарату квантової механіки. У данній дипломній роботі проведено дослідження формування енергетичних станів частинок і квазічастинок у двошаровій квантовій розмірній структурі та їх модифікацію у зовнішньому електричному полі.