Публікація: Оптимизация оптоэлектронных характеристик гетероструктур на основе аморфного и кристаллического кремния
Завантаження...
Дата
2009
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЭ
Анотація
In the given work are lead researches of various physical processes in geterostmctures for the further improvement optoelectronics parameters. Researches of temperature, spectral, structural, electrophysical dependences thin films of amorphous silicon were made. The physical and mathematical model and a technique of numerical researches photocarriers current in thin films of amorphous hydrogenised silicon is described. Calculations of photocurrent dependence from film thickness are presented
Опис
Ключові слова
кристаллический кремний, оптоэлектронные характеристики
Бібліографічний опис
Оптимизация оптоэлектронных характеристик гетероструктур на основе аморфного и кристаллического кремния / М. А. Быков, Н. И. Слипченко, С. А. Зуев, И. Ю. Герчио // Электронная компонентная база. Состояние и перспективы развития : материалы 2-ой Междунар. научн. конф., 30 сентября-3 октября 2009 г. – Харьков-Кацивели : ХНУРЭ, 2009 г. – С. 38–42.