Оптимизация оптоэлектронных характеристик гетероструктур на основе аморфного и кристаллического кремния

Быков, М. А.; Слипченко, Н. И.; Зуев, С. А.; Герчио, И. Ю.

Публікація:
Оптимизация оптоэлектронных характеристик гетероструктур на основе аморфного и кристаллического кремния

dc.contributor.author	Быков, М. А.
dc.contributor.author	Слипченко, Н. И.
dc.contributor.author	Зуев, С. А.
dc.contributor.author	Герчио, И. Ю.
dc.date.accessioned	2025-01-07T17:32:23Z
dc.date.available	2025-01-07T17:32:23Z
dc.date.issued	2009
dc.description.abstract	In the given work are lead researches of various physical processes in geterostmctures for the further improvement optoelectronics parameters. Researches of temperature, spectral, structural, electrophysical dependences thin films of amorphous silicon were made. The physical and mathematical model and a technique of numerical researches photocarriers current in thin films of amorphous hydrogenised silicon is described. Calculations of photocurrent dependence from film thickness are presented
dc.identifier.citation	Оптимизация оптоэлектронных характеристик гетероструктур на основе аморфного и кристаллического кремния / М. А. Быков, Н. И. Слипченко, С. А. Зуев, И. Ю. Герчио // Электронная компонентная база. Состояние и перспективы развития : материалы 2-ой Междунар. научн. конф., 30 сентября-3 октября 2009 г. – Харьков-Кацивели : ХНУРЭ, 2009 г. – С. 38–42.
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/29564
dc.language.iso	other
dc.publisher	ХНУРЭ
dc.subject	кристаллический кремний
dc.subject	оптоэлектронные характеристики
dc.title	Оптимизация оптоэлектронных характеристик гетероструктур на основе аморфного и кристаллического кремния
dc.type	Conference proceedings
dspace.entity.type	Publication