Напівпровідникові багатошарові квантово-розмірні структури на основі несиметричних квантово-обмежених шарів

Abstract

Метою роботи є дослідження впливу структурних та електрофізичних параметрів активної області на енергетичні стани частинок у сусідніх квантових ямах. Методом дослідження є квантово-механічне математичне моделювання енергетичних станів частинок у квантово-обмежених системах. У першому розділі роботи розглянуто особливості роботи інжекційних напівпровідникових лазерів. Зокрема лазерів з квантовими обмеженими активними шарами. У другому розділі розглянуто формування енергетичного спектру частинок і квазічастинок як в окремих квантових, так і в області часткового континууму. Також досліджено вплив на енергетичні стани частинок зовнішнього сталого електричного поля.