Анализ влияния концентрации электронов на усиление в полупроводниковом лазере

Abstract

Развитие современных волоконно-оптических систем передачи информации невозможно без совершенствования конструкции и оптимизации параметров полупроводниковых лазеров. Эффективным способом разработки элементов и систем радиоэлектроники является компьютерное моделирование, которое позволяет в значительной степени сократить сроки и стоимость разработок.