Анализ влияния концентрации электронов на усиление в полупроводниковом лазере

Лысак, В. В.

Публікація:
Анализ влияния концентрации электронов на усиление в полупроводниковом лазере

dc.contributor.author	Лысак, В. В.
dc.date.accessioned	2021-11-28T20:44:09Z
dc.date.available	2021-11-28T20:44:09Z
dc.date.issued	1997
dc.description.abstract	Развитие современных волоконно-оптических систем передачи информации невозможно без совершенствования конструкции и оптимизации параметров полупроводниковых лазеров. Эффективным способом разработки элементов и систем радиоэлектроники является компьютерное моделирование, которое позволяет в значительной степени сократить сроки и стоимость разработок.	uk_UA
dc.identifier.citation	Лысак В. В. Анализ влияния концентрации электронов на усиление в полупроводниковом лазере / В. В. Лысак // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1997. – Вып. 102. – С. 100–103.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/18467
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХТУРЭ	uk_UA
dc.subject	радиотехника	uk_UA
dc.subject	волоконно-оптическая система передачи	uk_UA
dc.title	Анализ влияния концентрации электронов на усиление в полупроводниковом лазере	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication