Публікація: Исследование стационарных энергетических состояний экситонов Ванье — Мотта в полупроводниковых инжекционных лазерах на основе квантоворазмерных структур
Завантаження...
Дата
1997
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХТУРЭ
Анотація
Влияние экситонов на физические процессы, протекающие в полупроводниковых
лазерах, уже достаточно подробно рассмотрено. Установлено, что экситонные перехода могут служить каналом для накачки; экситонное поглощение и поглощение света экситонами могут давать существенный вклад в потери; связывание носителей в экситоны может затруднить генерацию на переходах с участием свободных носителей; возможна лазерная генерация на экситонных переходах.
Опис
Ключові слова
радиотехника, экситон
Бібліографічний опис
Пащенко А. Г. Исследование стационарных энергетических состояний экситонов Ванье — Мотта в полупроводниковых инжекционных лазерах на основе квантоворазмерных структур / А. Г. Пащенко, В. М. Ванцан // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1997. – Вып. 102. – С. 85–92.