Публікація:
Исследование стационарных энергетических состояний экситонов Ванье — Мотта в полупроводниковых инжекционных лазерах на основе квантоворазмерных структур

Проста сторінка документа
dc.contributor.authorПащенко, А. Г.
dc.contributor.authorВанцан, В. М.
dc.date.accessioned2021-11-28T20:43:08Z
dc.date.available2021-11-28T20:43:08Z
dc.date.issued1997
dc.description.abstractВлияние экситонов на физические процессы, протекающие в полупроводниковых лазерах, уже достаточно подробно рассмотрено. Установлено, что экситонные перехода могут служить каналом для накачки; экситонное поглощение и поглощение света экситонами могут давать существенный вклад в потери; связывание носителей в экситоны может затруднить генерацию на переходах с участием свободных носителей; возможна лазерная генерация на экситонных переходах.uk_UA
dc.identifier.citationПащенко А. Г. Исследование стационарных энергетических состояний экситонов Ванье — Мотта в полупроводниковых инжекционных лазерах на основе квантоворазмерных структур / А. Г. Пащенко, В. М. Ванцан // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1997. – Вып. 102. – С. 85–92.uk_UA
dc.identifier.urihttps://openarchive.nure.ua/handle/document/18465
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХТУРЭuk_UA
dc.subjectрадиотехникаuk_UA
dc.subjectэкситонuk_UA
dc.titleИсследование стационарных энергетических состояний экситонов Ванье — Мотта в полупроводниковых инжекционных лазерах на основе квантоворазмерных структурuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
RT_102_1997-85-92.pdf
Розмір:
200.86 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Пакунок ліцензії

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Радіотехніка