Исследование стационарных энергетических состояний экситонов Ванье — Мотта в полупроводниковых инжекционных лазерах на основе квантоворазмерных структур

Abstract

Влияние экситонов на физические процессы, протекающие в полупроводниковых лазерах, уже достаточно подробно рассмотрено. Установлено, что экситонные перехода могут служить каналом для накачки; экситонное поглощение и поглощение света экситонами могут давать существенный вклад в потери; связывание носителей в экситоны может затруднить генерацию на переходах с участием свободных носителей; возможна лазерная генерация на экситонных переходах.