Публікація: Расчет положения квазиуровня ферми и количества фотонов в сильно легированном арсениде галлия
Завантаження...
Дата
1997
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХТУРЭ
Анотація
В полупроводниковых инжекционных лазерах на основе гомо-, гетеро-
и квантоворазмерных структур для создания активной области наряду
с чистыми используются сильно легированные полупроводниковые
материалы, с ярко выраженными донорными или акцепторными уровнями.
Опис
Ключові слова
радиотехника, лазер
Бібліографічний опис
Пащенко А. Г. Расчет положения квазиуровня ферми и количества фотонов в сильно легированном арсениде галлия / А. Г. Пащенко // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1997. – Вып. 101. – С. 81–90.