Расчет положения квазиуровня ферми и количества фотонов в сильно легированном арсениде галлия

Публікація:
Расчет положения квазиуровня ферми и количества фотонов в сильно легированном арсениде галлия

dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2021-11-28T20:42:03Z
dc.date.available	2021-11-28T20:42:03Z
dc.date.issued	1997
dc.description.abstract	В полупроводниковых инжекционных лазерах на основе гомо-, гетеро- и квантоворазмерных структур для создания активной области наряду с чистыми используются сильно легированные полупроводниковые материалы, с ярко выраженными донорными или акцепторными уровнями.	uk_UA
dc.identifier.citation	Пащенко А. Г. Расчет положения квазиуровня ферми и количества фотонов в сильно легированном арсениде галлия / А. Г. Пащенко // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1997. – Вып. 101. – С. 81–90.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/18457
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХТУРЭ	uk_UA
dc.subject	радиотехника	uk_UA
dc.subject	лазер	uk_UA
dc.title	Расчет положения квазиуровня ферми и количества фотонов в сильно легированном арсениде галлия	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication