Публікація: Расчет положения квазиуровня ферми и количества фотонов в сильно легированном арсениде галлия
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХТУРЭ
Анотація
В полупроводниковых инжекционных лазерах на основе гомо-, гетеро- и квантоворазмерных структур для создания активной области наряду с чистыми используются сильно легированные полупроводниковые материалы, с ярко выраженными донорными или акцепторными уровнями.
Опис
Ключові слова
радиотехника, лазер
Цитування
Пащенко А. Г. Расчет положения квазиуровня ферми и количества фотонов в сильно легированном арсениде галлия / А. Г. Пащенко // Радиотехника : всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 1997. – Вып. 101. – С. 81–90.