Публікація: Изменение длины волны генерации квантоворазмерных светоизлучающих приборов под действием внешнего стационарного электрического поля
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЭ
Анотація
Приведены результаты расчетов изменения длины волны излучения квантоворазмерных светоизлучающих приборов на основе GaAs/AlxGabxAs под действием внешнего стационарного электрического поля. Расчеты проводились для квантоворазмерных структур (КРС) с различными геометрическими и энергетическими параметрами. Показано, что длина волны генерации наиболее стабильна в КРС с узкими квантовоограниченными слоями и высокими ограничивающими барьерами
Опис
Ключові слова
стационарное электрическое поле, квантоворазмерный светоизлучающий прибор
Цитування
Пащенко А. Г. Изменение длины волны генерации квантоворазмерных светоизлучающих приборов под действием внешнего стационарного электрического поля / А. Г. Пащенко, В. М. Ванцан // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2002. – Вып. 128. – С. 226–229.