Изменение длины волны генерации квантоворазмерных светоизлучающих приборов под действием внешнего стационарного электрического поля

Пащенко, А. Г.; Ванцан, В. М.

Публікація:
Изменение длины волны генерации квантоворазмерных светоизлучающих приборов под действием внешнего стационарного электрического поля

dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.contributor.author	Ванцан, В. М.
dc.date.accessioned	2021-06-30T11:35:51Z
dc.date.available	2021-06-30T11:35:51Z
dc.date.issued	2002
dc.description.abstract	Приведены результаты расчетов изменения длины волны излучения квантоворазмерных светоизлучающих приборов на основе GaAs/AlxGabxAs под действием внешнего стационарного электрического поля. Расчеты проводились для квантоворазмерных структур (КРС) с различными геометрическими и энергетическими параметрами. Показано, что длина волны генерации наиболее стабильна в КРС с узкими квантовоограниченными слоями и высокими ограничивающими барьерами	uk_UA
dc.identifier.citation	Пащенко А. Г. Изменение длины волны генерации квантоворазмерных светоизлучающих приборов под действием внешнего стационарного электрического поля / А. Г. Пащенко, В. М. Ванцан // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2002. – Вып. 128. – С. 226–229.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/16723
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	стационарное электрическое поле	uk_UA
dc.subject	квантоворазмерный светоизлучающий прибор	uk_UA
dc.title	Изменение длины волны генерации квантоворазмерных светоизлучающих приборов под действием внешнего стационарного электрического поля	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication