Публікація: Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 1. Математическая модель
Завантаження...
Дата
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЭ
Анотація
Предлагается модель кремниевого полевого транзистора с затвором Шоттки субмикронных размеров с учетом процессов переноса и локализации тепла в приборе.
Опис
Ключові слова
затвор Шоттки, локализация тепла в приборе
Цитування
Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 1. Математическая модель / С. А. Зуев, В. В. Старостенко, В. Ю. Терещенко, Г. И. Чурюмов, А. А. Шадрин // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2004. – Вып. 3. – С. 47–53.