Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 1. Математическая модель

Публікація:
Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 1. Математическая модель

dc.contributor.author	Зуев, С. А.
dc.contributor.author	Старостенко, В. В.
dc.contributor.author	Терещенко, В. Ю.
dc.contributor.author	Чурюмов, Г. И.
dc.contributor.author	Шадрин, А. А.
dc.date.accessioned	2021-06-06T13:50:35Z
dc.date.available	2021-06-06T13:50:35Z
dc.date.issued	2004
dc.description.abstract	Предлагается модель кремниевого полевого транзистора с затвором Шоттки субмикронных размеров с учетом процессов переноса и локализации тепла в приборе.	uk_UA
dc.identifier.citation	Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 1. Математическая модель / С. А. Зуев, В. В. Старостенко, В. Ю. Терещенко, Г. И. Чурюмов, А. А. Шадрин // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2004. – Вып. 3. – С. 47–53.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/16372
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	затвор Шоттки	uk_UA
dc.subject	локализация тепла в приборе	uk_UA
dc.title	Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 1. Математическая модель	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication