Публікація: Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику
Завантаження...
Дата
2016
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
ХНУРЭ
Анотація
Миниатюризация элементной базы твердотельной электроники постепенно подходит к своей природной границе. Перспективным способом решения этой проблемы является разработка элементной базы, компоненты которой работали бы благодаря, квантово – размерным эффектам.
Опис
Ключові слова
твердотельная электроника, рабочая частота, пролетное время электрона
Бібліографічний опис
Ибадуллин М. М. Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2016. – Вып. 184. – С. 170 – 177.