Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику

Abstract

Миниатюризация элементной базы твердотельной электроники постепенно подходит к своей природной границе. Перспективным способом решения этой проблемы является разработка элементной базы, компоненты которой работали бы благодаря, квантово – размерным эффектам.