Публікація:
Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику

Проста сторінка документа
dc.contributor.authorИбадуллин, М. М.
dc.contributor.authorПащенко, А. Г.
dc.date.accessioned2018-03-23T13:51:20Z
dc.date.available2018-03-23T13:51:20Z
dc.date.issued2016
dc.description.abstractМиниатюризация элементной базы твердотельной электроники постепенно подходит к своей природной границе. Перспективным способом решения этой проблемы является разработка элементной базы, компоненты которой работали бы благодаря, квантово – размерным эффектам.uk_UA
dc.identifier.citationИбадуллин М. М. Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2016. – Вып. 184. – С. 170 – 177.uk_UA
dc.identifier.urihttp://openarchive.nure.ua/handle/document/4393
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХНУРЭuk_UA
dc.subjectтвердотельная электроникаuk_UA
dc.subjectрабочая частотаuk_UA
dc.subjectпролетное время электронаuk_UA
dc.titleВлияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристикуuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакунок

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
170-177.PDF
Розмір:
711.89 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Завантажити

Пакунок ліцензії

Зараз показано 1 - 1 з 1
Зображення мініатюри
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:
Завантажити

Колекції

Радіотехніка