Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику

Ибадуллин, М. М.; Пащенко, А. Г.

Публікація:
Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику

dc.contributor.author	Ибадуллин, М. М.
dc.contributor.author	Пащенко, А. Г.
dc.date.accessioned	2018-03-23T13:51:20Z
dc.date.available	2018-03-23T13:51:20Z
dc.date.issued	2016
dc.description.abstract	Миниатюризация элементной базы твердотельной электроники постепенно подходит к своей природной границе. Перспективным способом решения этой проблемы является разработка элементной базы, компоненты которой работали бы благодаря, квантово – размерным эффектам.	uk_UA
dc.identifier.citation	Ибадуллин М. М. Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику / М. М. Ибадуллин, А. Г. Пащенко // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.-техн. сб. – 2016. – Вып. 184. – С. 170 – 177.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/4393
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	твердотельная электроника	uk_UA
dc.subject	рабочая частота	uk_UA
dc.subject	пролетное время электрона	uk_UA
dc.title	Влияние структурных и электрофизических параметров активной области резонанснотуннельного диода на его вольт-амперную характеристику	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication