Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 2. Результаты моделирования

Публікація:
Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 2. Результаты моделирования

dc.contributor.author	Зуев, С. А.
dc.contributor.author	Старостенко, В. В.
dc.contributor.author	Терещенко, В. Ю.
dc.contributor.author	Чурюмов, Г. И.
dc.contributor.author	Шадрин, А. А.
dc.date.accessioned	2021-07-04T21:42:01Z
dc.date.available	2021-07-04T21:42:01Z
dc.date.issued	2004
dc.description.abstract	Описываются результаты расчета входных и выходных статистических характеристик полупроводниковых приборов на основе Si.	uk_UA
dc.identifier.citation	Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 2. Результаты моделирования / С. А. Зуев, В. В. Старостенко, В. Ю. Терещенко, Г. И. Чурюмов, А. А. Шадрин // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2004. – Вып. 4. – С. 31–33.	uk_UA
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/16878
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	радиотехника	uk_UA
dc.subject	радиоэлектроника	uk_UA
dc.title	Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 2. Результаты моделирования	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication