Публікація: Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 2. Результаты моделирования
Завантаження...
Дата
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЭ
Анотація
Описываются результаты расчета входных и выходных статистических характеристик полупроводниковых приборов на основе Si.
Опис
Ключові слова
радиотехника, радиоэлектроника
Цитування
Модель ПТШ субмикронных размеров на кремнии. Часть 2. Результаты моделирования / С. А. Зуев, В. В. Старостенко, В. Ю. Терещенко, Г. И. Чурюмов, А. А. Шадрин // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – 2004. – Вып. 4. – С. 31–33.