Публікація:
Напівпровідникові багатошарові квантово-розмірні структури на основі несиметричних квантово-обмежених шарів

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

2021

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тома

Видавництво

Дослідницькі проекти

Організаційні підрозділи

Видання журналу

Анотація

Метою роботи є дослідження впливу структурних та електрофізичних параметрів активної області на енергетичні стани частинок у сусідніх квантових ямах. Методом дослідження є квантово-механічне математичне моделювання енергетичних станів частинок у квантово-обмежених системах. У першому розділі роботи розглянуто особливості роботи інжекційних напівпровідникових лазерів. Зокрема лазерів з квантовими обмеженими активними шарами. У другому розділі розглянуто формування енергетичного спектру частинок і квазічастинок як в окремих квантових, так і в області часткового континууму. Також досліджено вплив на енергетичні стани частинок зовнішнього сталого електричного поля.

Опис

Ключові слова

напівпровідникові лазери, квантово-розмірні структури, ширина лінії випромінювання, квантово-розмірна структура, квантове обмеження, довжина хвилі де-Бройля

Бібліографічний опис

Попов А. С. Напівпровідникові багатошарові квантово-розмірні структури на основі несиметричних квантово-обмежених шарів : пояснювальна записка до атестаційної роботи здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 171 – Електроніка / А. С. Попов ; М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун-т радіоелектроніки. – Харків, 2021. – 35 с.

DOI