За технічних причин Електронний архів Харківського національного університету радіоелектроніки «ElAr КhNURE» працює тільки на перегляд. Про відновлення роботи у повному обсязі буде своєчасно повідомлено.
 

Публікація:
Mathematical model of the development of manufacturing defects in the surface layer of substerates of moems’ functional components

Завантаження...
Зображення мініатюри

Дата

2020

Назва журналу

ISSN журналу

Назва тома

Видавництво

Дослідницькі проекти

Організаційні підрозділи

Видання журналу

Анотація

A mathematical model of the development of manufacturing defects, with the prediction of the random component of the model in the substrates of functional components of MOEMS, which are made of semiconductors, in particular, silicon, are developed in the article. The main manufacturing defects that arise in the surface layer of the substrates of the MOEMS functional components taking into account the technological processes of their production and dynamic processes were used when developing the model. The developed mathematical model takes into account the occurrence of a random component of the model with its predictive ability. The possibility of such control is the basis for the development of the scientific direction of technology and equipment for the production of semiconductors, materials and electronic devices - defect engineering, based on the management and forecasting of defect formation processes.

Опис

Ключові слова

mathematical model, defect, MOEMS, functional components

Бібліографічний опис

Nevliudov I. Mathematical model of the development of manufacturing defects in the surface layer of substerates of moems’ functional components [Електронний ресурс] / I. Nevliudov, M. Omarov, O. Chala // ABSTRACT BOOK ICONAT 2020 INTERNATIONAL CONFERENCE ON NATURAL SCIENCES AND TECHNOLOGIES 20 August 2020-22 August 2020 Baku, Azerbaijan. – 2020. – Режим доступу до ресурсу: https://www.iconat-2020.com/.

DOI