Дослідження спектрів ІЧ-випромінювання інжекційних напівпровідникових лазерів з багатошаровою наноструктурою

Сахарова, Г. С.

Публікація:
Дослідження спектрів ІЧ-випромінювання інжекційних напівпровідникових лазерів з багатошаровою наноструктурою

dc.contributor.author	Сахарова, Г. С.
dc.date.accessioned	2023-05-12T16:15:10Z
dc.date.available	2023-05-12T16:15:10Z
dc.date.issued	2022
dc.description.abstract	Об’єктом дослідження є активна область інжекційного напівпровідникового лазеру у вигляді п′ятишарової надгратки на основі періодичної гетероструктури GaAs/AlxGa1-xAs. Метою даної атестаційної роботи є дослідження виникнення окремих ліній спектру випромінювання багатошарової надгратки, як у стаціонарному стані, так і під впливом зовнішнього, сталого у часі просторово симетричного електричного поля. Метод дослідження – квантово-механічне моделювання руху носіїв у багатошарових надгратках. У роботі досліджено механізми виникнення енергетичних мінізон у багатошарових надгратках, оптичні переходи і оптичне підсилення у багатошарових квантових розмірних структурах.
dc.identifier.citation	Сахарова Г. С. Дослідження спектрів ІЧ-випромінювання інжекційних напівпровідникових лазерів з багатошаровою наноструктурою : пояснювальна записка до атестаційної роботи здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 – Мікро- та наносистемна техніка / Г. С. Сахарова ; М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун-т радіоелектроніки – Харків, 2022. - 63 с.
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/22891
dc.language.iso	uk
dc.subject	НАНОСТРУКТУРА, НАДГРАТКА, ГУСТИНА ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ, ЕНЕРЕГТИЧНА ЗОНА, ГЕТЕРОСТРУКТУРА, ОПТИЧНЕ ПІДСИЛЕННЯ, ТУНЕЛЮВАННЯ, РОЗДІЛЮВАЛЬНИЙ БАР′ЄР, ДОВЖИНА ХВИЛІ, СПЕКТР ВИПРОМІНЮВАННЯ
dc.title	Дослідження спектрів ІЧ-випромінювання інжекційних напівпровідникових лазерів з багатошаровою наноструктурою
dc.type	Other
dspace.entity.type	Publication