Публікація: Дослідження спектрів ІЧ-випромінювання інжекційних напівпровідникових лазерів з багатошаровою наноструктурою
Завантаження...
Дата
2022
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тома
Видавництво
Анотація
Об’єктом дослідження є активна область інжекційного напівпровідникового лазеру у вигляді п′ятишарової надгратки на основі періодичної гетероструктури GaAs/AlxGa1-xAs.
Метою даної атестаційної роботи є дослідження виникнення окремих ліній спектру випромінювання багатошарової надгратки, як у стаціонарному стані, так і під впливом зовнішнього, сталого у часі просторово симетричного
електричного поля.
Метод дослідження – квантово-механічне моделювання руху носіїв у багатошарових надгратках.
У роботі досліджено механізми виникнення енергетичних мінізон у багатошарових надгратках, оптичні переходи і оптичне підсилення у багатошарових квантових розмірних структурах.
Опис
Ключові слова
НАНОСТРУКТУРА, НАДГРАТКА, ГУСТИНА ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ, ЕНЕРЕГТИЧНА ЗОНА, ГЕТЕРОСТРУКТУРА, ОПТИЧНЕ ПІДСИЛЕННЯ, ТУНЕЛЮВАННЯ, РОЗДІЛЮВАЛЬНИЙ БАР′ЄР, ДОВЖИНА ХВИЛІ, СПЕКТР ВИПРОМІНЮВАННЯ
Бібліографічний опис
Сахарова Г. С. Дослідження спектрів ІЧ-випромінювання інжекційних напівпровідникових лазерів з багатошаровою наноструктурою : пояснювальна записка до атестаційної роботи здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 153 – Мікро- та наносистемна техніка / Г. С. Сахарова ; М-во освіти і науки України, Харків. нац. ун-т радіоелектроніки – Харків, 2022. - 63 с.