Публікація:
Теоретическое исследование взаимодействия полупроводниковых структур с полем СВЧ резонатора

dc.contributor.authorСвидерская, Л. И.
dc.date.accessioned2021-09-16T14:06:24Z
dc.date.available2021-09-16T14:06:24Z
dc.date.issued2000
dc.description.abstractВ статье разработана математическая модель воздействия неоднородно легированных полупроводниковых структур на электромагнитное поле свч резонаторных измерительных преобразователей с учетом влияния потерь в образце на возмущение поля. Разработанные алгоритмы представленных математических моделей позволяют исследовать изменение характеристических параметров измерительного резонатора практически при любом законе распределения примеси по толщине образцаuk_UA
dc.identifier.citationСвидерская Л. И. Теоретическое исследование взаимодействия полупроводниковых структур с полем СВЧ резонатора / Л. И. Свидерская // Радиотехника : Всеукр. межвед. науч.–техн. сб. – 2000. – Вып. 115. – С. 95–99.uk_UA
dc.identifier.urihttps://openarchive.nure.ua/handle/document/17565
dc.language.isoruuk_UA
dc.publisherХТУРЭuk_UA
dc.subjectрадиотехникаuk_UA
dc.subjectрезонаторный измерительный преобразовательuk_UA
dc.titleТеоретическое исследование взаимодействия полупроводниковых структур с полем СВЧ резонатораuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Завантаження...
Зображення мініатюри
Назва:
RT_2000_115-95-99.pdf
Розмір:
327.97 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
license.txt
Розмір:
9.42 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис:

Колекції