Теоретическое исследование взаимодействия полупроводниковых структур с полем СВЧ резонатора

Abstract

В статье разработана математическая модель воздействия неоднородно легированных полупроводниковых структур на электромагнитное поле свч резонаторных измерительных преобразователей с учетом влияния потерь в образце на возмущение поля. Разработанные алгоритмы представленных математических моделей позволяют исследовать изменение характеристических параметров измерительного резонатора практически при любом законе распределения примеси по толщине образца