Резонансно-тунельний діод і прилади на його основі

Прокіпець, М. В.

Публікація:
Резонансно-тунельний діод і прилади на його основі

dc.contributor.author	Прокіпець, М. В.
dc.date.accessioned	2024-02-29T13:47:39Z
dc.date.available	2024-02-29T13:47:39Z
dc.date.issued	2023
dc.description	Прокіпець М. В. Резонансно-тунельний діод і прилади на його основі : кваліфікаційна робота здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 171 Електроніка / М. В. Прокіпець ; М-во освіти і науки України, ХНУРЕ. - Харків, 2023. - 72 с.
dc.description.abstract	Об'єктом дослідження є багатошарова квантово-розмірна структура, створена на основі напівпровідникових з'єднань групи. Метою роботи є дослідження впливу структурних та електрофізичних параметрів активної області на ВАХ резонансно-тунельного діоду. Метод дослідження – квантово-механічне моделювання вольт-амперної характеристики резонансно-тунельного діоду з багатошаровою квантово-обмеженою активною областю. У роботі проведено огляд методів генерації електромагнітного випромінювання терагерцового діапазону за допомогою різних генераторних приладів. Показана можливість успішного застосування у якості генераторного приладу резонансно-тунельного діоду. Проведено математичне моделювання процесу перенесення заряду через багатошарову квантово-розмірну структуру.
dc.identifier.citation	Прокіпець М. В. Резонансно-тунельний діод і прилади на його основі : кваліфікаційна робота здобувача вищої освіти на другому (магістерському) рівні, спеціальність 171 Електроніка / М. В. Прокіпець ; М-во освіти і науки України, ХНУРЕ. - Харків, 2023. - 72 с.
dc.identifier.uri	https://openarchive.nure.ua/handle/document/25853
dc.language.iso	uk
dc.subject	резонансно-тунельний діод
dc.subject	квантово-розмірна структура
dc.subject	напівпровідникові з'єднання
dc.title	Резонансно-тунельний діод і прилади на його основі
dc.type	Other
dspace.entity.type	Publication