Публікація: Формирование спектра излучения твердотельных чип лазеров с полупроводниковой накачкой
dc.contributor.author | Мачехин, Ю. П. | |
dc.contributor.author | Медведенко, О. А. | |
dc.date.accessioned | 2016-06-16T10:48:31Z | |
dc.date.available | 2016-06-16T10:48:31Z | |
dc.date.issued | 2010 | |
dc.description.abstract | В работе представлены результаты исследований особенностей формирования спектра излучения твердотельного чип лазера. Рассмотрены условия формирования полем накачки режима одномодовой генерации. Показано, что, используя селектор Фокса — Смита, можно реализовать условия генерации одночастотного излучения. Показано, что добиться требуемой девиации оптической частоты для ее стабилизации по пикам насыщенного поглощения в йоде, можно с помощью модуляции интенсивности излучения накачки. | uk_UA |
dc.identifier.citation | Мачехин Ю. П. Формирование спектра излучения твердотельных чип лазеров с полупроводниковой накачкой / Ю. П. Мачехин, О. А. Медведенко // Прикладная радиоэлектроника : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 2010. – Т. 9, № 4 – С. 547–563. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://openarchive.nure.ua/handle/document/990 | |
dc.language.iso | ru | uk_UA |
dc.publisher | ХНУРЭ | uk_UA |
dc.subject | твердотельный лазер | uk_UA |
dc.subject | полупроводниковая накачка | uk_UA |
dc.subject | спектр излучения | uk_UA |
dc.subject | стандарт частоты | uk_UA |
dc.title | Формирование спектра излучения твердотельных чип лазеров с полупроводниковой накачкой | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
dspace.entity.type | Publication |
Файли
Оригінальний пакет
1 - 1 з 1
Ліцензійний пакет
1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
- Назва:
- license.txt
- Розмір:
- 9.42 KB
- Формат:
- Item-specific license agreed upon to submission
- Опис: