Формирование спектра излучения твердотельных чип лазеров с полупроводниковой накачкой

Abstract

В работе представлены результаты исследований особенностей формирования спектра излучения твердотельного чип лазера. Рассмотрены условия формирования полем накачки режима одномодовой генерации. Показано, что, используя селектор Фокса — Смита, можно реализовать условия генерации одночастотного излучения. Показано, что добиться требуемой девиации оптической частоты для ее стабилизации по пикам насыщенного поглощения в йоде, можно с помощью модуляции интенсивности излучения накачки.