Публікація: К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЭ
Анотація
Проводится расчет численной меры проникновения постоянного электрического поля в полупроводники. Определяется и анализируется зависимость глубины проникновения электрического поля, где найдено наличие максимума. Для поликристаллического образца оценивается средняя разность потенциалов между соседними кристаллитами.
Опис
Цитування
Спицын А. И. К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники / Спицын А. И., Ванцан В. М. // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 1998. – Вып. 2. – С. 36-38.