К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники

Спицын, А. И.; Ванцан, В. М.

Публікація:
К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники

dc.contributor.author	Спицын, А. И.
dc.contributor.author	Ванцан, В. М.
dc.date.accessioned	2018-11-20T11:20:53Z
dc.date.available	2018-11-20T11:20:53Z
dc.date.issued	1998
dc.description.abstract	Проводится расчет численной меры проникновения постоянного электрического поля в полупроводники. Определяется и анализируется зависимость глубины проникновения электрического поля, где найдено наличие максимума. Для поликристаллического образца оценивается средняя разность потенциалов между соседними кристаллитами.	uk_UA
dc.identifier.citation	Спицын А. И. К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники / Спицын А. И., Ванцан В. М. // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 1998. – Вып. 2. – С. 36-38.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://openarchive.nure.ua/handle/document/7303
dc.language.iso	ru	uk_UA
dc.publisher	ХНУРЭ	uk_UA
dc.subject	поликристаллический образец	uk_UA
dc.subject	глубина проникновения электрического поля	uk_UA
dc.title	К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
dspace.entity.type	Publication