Публікація: К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники
Завантаження...
Дата
Автори
Назва журналу
ISSN журналу
Назва тому
Видавець
ХНУРЭ
Анотація
Проводится расчет численной меры проникновения постоянного электрического поля в полупроводники. Определяется и анализируется зависимость глубины проникновения электрического поля, где найдено наличие максимума. Для поликристаллического образца оценивается средняя разность потенциалов между соседними кристаллитами.
Опис
Ключові слова
поликристаллический образец, глубина проникновения электрического поля
Цитування
Спицын А. И. К особенностям проникновения электрического поля в полупроводники / Спицын А. И., Ванцан В. М. // Радиоэлектроника и информатика : науч.-техн. журн. – Х. : ХНУРЭ, 1998. – Вып. 2. – С. 36-38.