Публікація:
Построение математической модели технологического процесса нанесения наноструктурированных диэлектрических пленок, полученных методом ионно-плазменного распыления

dc.contributor.authorГурин, Д. В.
dc.date.accessioned2023-02-23T15:39:28Z
dc.date.available2023-02-23T15:39:28Z
dc.date.issued2019
dc.description.abstractThe aim is to construct a mathematical model of the process of obtaining nanostructure dielectric films obtained by ion - plasma sputtering SiO2, Si3N4, SixOyNz, and structures based on them. To obtain a mathematical model of the quality of each film explicitly used the results obtained by us in the course of a three-factor, three-level experiment with random variation in the fourth factor - disturbing effect. During the experiment, the film was deposited at three different values of the control inputs, and all possible combinations of these values. Properties of these films are well understood, and they are widely used in semiconductor electronics.
dc.identifier.citationГурин Д. В. Построение математической модели технологического процесса нанесения наноструктурированных диэлектрических пленок, полученных методом ионно-плазменного распыления / Д. В. Гурин // Радіоелектроніка та молодь у ХХІ столітті : матеріали 23 Міжнар. молодіж. форуму, 16–18 квітня 2019 р. – Харків : ХНУРЕ, 2019. – Т. 2. – С. 39–40.
dc.identifier.urihttps://openarchive.nure.ua/handle/document/22179
dc.language.isoother
dc.publisherХНУРЕ
dc.subjectmathematical model
dc.subjection-plasma sputtering
dc.subjectnanostructure dielectric films
dc.titleПостроение математической модели технологического процесса нанесения наноструктурированных диэлектрических пленок, полученных методом ионно-плазменного распыления
dc.typeConference proceedings
dspace.entity.typePublication

Файли

Оригінальний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Завантаження...
Зображення мініатюри
Назва:
RiM_2019_T2-39-40.pdf
Розмір:
163.17 KB
Формат:
Adobe Portable Document Format
Ліцензійний пакет
Зараз показано 1 - 1 з 1
Немає доступних мініатюр
Назва:
license.txt
Розмір:
9.64 KB
Формат:
Item-specific license agreed upon to submission
Опис: