Виртуальный датчик для мониторинга температуры фонового нагревателя в тепловом узле установки для выращивания монокристаллов арсенида галлия

Abstract

Разрабатывается математическая модель – виртуальный датчик температуры фонового нагревателя, используемого для формирования оптимальных тепловых условий в зоне, примыкающей к фронту кристаллизации при выращивании слитков полуизолирующего GaAs по LEC-технологии. Выполняется проверка адекватности модели в ходе экспериментов на различных стадиях процесса выращивания. Модель используется как составная часть информационной технологии мониторинга качества процесса выращивания монокристаллов полу-проводников.